近日，SK海力士宣布了一项重要决策：该公司将为定制的HBM4（High Bandwidth Memory 4，高带宽内存4代）内存导入3nm（纳米）工艺的基础裸片。这一决策不仅标志着SK海力士在半导体工艺制程上取得了重要突破，也预示着其在高性能计算和AI领域的竞争力将得到显著提升。

据韩国媒体Hankyung和KED Global报道，SK海力士此次决策是为了响应英伟达等美国大型科技企业对高性能内存的需求。随着全球对高性能计算需求的不断增加，传统的内存技术已经难以满足AI和高性能计算领域对数据处理速度和存储密度的要求。因此，SK海力士决定采用更为先进的3nm工艺来打造其定制的HBM4内存。

与之前的5nm工艺相比，3nm工艺在性能和效率上都将有显著提升。基础裸片（Base Die、Logic Die、Interface Die）在HBM4代产品中将全面转向逻辑半导体工艺，并支持客户定制电路。这一转变不仅将提高AI半导体的运行效率，还将使HBM4内存能够更好地满足特定应用场景的需求。

SK海力士的HBM4基础裸片将由台积电代工。此前，台积电已经展示了N12FFC+和N5制程的设计，并表现出了强劲的性能和性价比。而此次的3nm版本预计将进一步提升20%至30%的性能，展现出更强的竞争优势。

值得注意的是，SK海力士的标准款HBM4仍将采用N12FFC+基础裸片，而定制产品则将从此前考虑的5nm升级至3nm。这一决策显示了SK海力士在技术创新和市场定位上的精准把握。

与此同时，SK海力士的竞争对手三星电子也在积极推动HBM4基础裸片的4nm制程发展。然而，与SK海力士的3nm工艺相比，三星电子的4nm工艺在性能和效率上可能存在一定的差距。这意味着，在未来的市场竞争中，SK海力士有望通过其更先进的制程技术占据更多的市场份额。

SK海力士计划于2025年下半年推出首批HBM4产品。这一时间节点与三星电子的时间表相吻合，表明双方都在争相抓住AI及高性能计算市场的主导权。随着AI应用的不断扩展，对高带宽内存的需求也将持续攀升。因此，SK海力士的这一决策不仅关乎其自身的技术升级和市场拓展，也将对整个半导体行业产生深远的影响。

此次SK海力士为定制HBM4内存导入3nm基础裸片的决策，无疑将为AI和高性能计算领域带来新的重大进展。